选择语言
×
中文
English
[email protected]
13670023222
中文
搜索
关闭
×
产品
电阻器
配件
专用电阻器
电容器
铝电解电容器
硅电容器
内存 - 模块、卡
存储卡
传感器、变换器
传感器、传感器配件
光学传感器
集成电路 (IC)
嵌入式
界面
线性
记忆
开发板、套件、编程器
配件
评估板
制造商
资讯
询价
申请样品
关于我们
联系我们
首页
记忆
记忆
UPD48576118F1-E18-DW1-A
产品型号
UPD48576118F1-E18-DW1-A
品牌
Renesas
RoHS
No
描述
IC DRAM 576MBIT HSTL 144TFBGA
分类
记忆
PDF
库存:
4994
BOM
技术细节
包装/箱
144-TBGA
安装类型
Surface Mount
内存大小
576Mbit
内存类型
Volatile
工作温度
0°C ~ 95°C (TC)
电压 - 电源
1.7V ~ 1.9V
技术
LLDRAM
时钟频率
533 MHz
内存格式
DRAM
供应商设备包
144-TFBGA (11x18.5)
内存接口
HSTL
存取时间
300 ps
记忆组织
32M x 18
DigiKey 可编程
Not Verified
Image
×
[email protected]
Top