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记忆
记忆
HYB25D512800CE-6
产品型号
HYB25D512800CE-6
品牌
Qimonda
RoHS
No
描述
IC DRAM 512MBIT PAR 66TSOP II
分类
记忆
PDF
库存:
3219
BOM
技术细节
包装/箱
66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
安装类型
Surface Mount
内存大小
512Mbit
内存类型
Volatile
工作温度
0°C ~ 70°C (TA)
电压 - 电源
2.3V ~ 2.7V
技术
SDRAM - DDR
时钟频率
166 MHz
内存格式
DRAM
供应商设备包
66-TSOP II
内存接口
Parallel
记忆组织
64M x 8
DigiKey 可编程
Not Verified
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